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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 550 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 170 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 190 |
最大漏极电流(liú)Id(on)(A): | 20 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述: | 550V,190mΩ,20A,N沟道基于超(chāo)级结技术的功率(lǜ)MOSFET |
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